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靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別


靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別

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靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別是:
【靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別】靜態(tài)RAM(SRAM)速度非常快,只要電源存在內(nèi)容就不會(huì)自動(dòng)消失 。其基本存儲(chǔ)電路為6個(gè)MOS管組成1位,因此集成度相對(duì)較低,功耗也較大 。一般高速緩沖存儲(chǔ)器用它組成 。動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)的內(nèi)容在10-3或l0-6秒之后自動(dòng)消失,因此必須周期性的在內(nèi)容消失之前進(jìn)行刷新 。由于它的基本存儲(chǔ)電路由一個(gè)晶體管及一個(gè)電容組成,因此它的集成度高,成本較低,另外耗電也少,但它需要一個(gè)額外的刷新電路 。DRAM運(yùn)行速度較慢,SRAM比DRAM要快2到5倍,一般,PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器都采用DRAM組成 。
靜態(tài)存儲(chǔ)器依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)保存信息 。每個(gè) 雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)一位 二進(jìn)制代碼0或1,一塊 存儲(chǔ)芯片上包含許多個(gè)這樣的雙穩(wěn)態(tài)電路 。雙穩(wěn)態(tài)電路是有源器件,需要電源才能工作,只要電源正常,就能長(zhǎng)期穩(wěn)定的保存信息,所以稱為靜態(tài)存儲(chǔ)器 。如果斷電,信息將會(huì)丟失,屬于揮發(fā)性存儲(chǔ)器,或稱易失性 。