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什么是igbt

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IGBT是絕緣柵雙極型晶體管 。是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點 。
【什么是igbt】靜態特性：ＩＧＢＴ 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性 。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以柵源電壓Ｕｇｓ 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線 。輸出漏極電流比受柵源電壓Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高，Ｉｄ 越大 。它與ＧＴＲ 的輸出特性相似 。也可分為飽和區１ 、放大區２ 和擊穿特性３ 部分 。在截止狀態下的ＩＧＢＴ  ， 正向電壓由Ｊ２ 結承擔，反向電壓由Ｊ１結承擔 。如果無Ｎ＋緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入Ｎ＋緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些應用范圍 。