【內(nèi)存時(shí)序 內(nèi)存時(shí)序越小越好嗎】

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小伙伴們好，最近小跳發(fā)現(xiàn)有諸多的小伙伴們對(duì)于內(nèi)存時(shí)序這個(gè)都頗為感興趣的 ， 那么小跳今天就來(lái)為大家梳理下具體的一些信息一起來(lái)看看吧 。
1、內(nèi)存時(shí)序(英文：Memorytimings或RAMtimings)是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)性能的四個(gè)參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時(shí)鐘周期 。它們通常被寫成由破折號(hào)分隔的四個(gè)數(shù)字 ， 例如7-8-8-24 。
2、第四個(gè)參數(shù)(RAS)經(jīng)常被省略，有時(shí)會(huì)加上第五個(gè)參數(shù)：命令速率(一般是2T或1T)，也寫成2N或1N 。這些參數(shù)指定了影響RAM速度的延遲時(shí)間 。數(shù)字越?。ǔＲ馕蹲判閱茉嬌?。決定系統(tǒng)性能的最后一個(gè)因素是實(shí)際延遲時(shí)間，通常以納秒為單位 。
本文到此結(jié)束，希望對(duì)大家有所幫助 。

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