關于輻照損傷簡述 輻照損傷


關于輻照損傷簡述 輻照損傷

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1、輻照對于材料和元器件(包括半導體器件和IC)產生損傷的基本機理是電離損傷和位移損傷 。
2、電離損傷主要是在半導體和絕緣體中產生電子-空穴對,需要的能量較低;而位移損傷主要是在半導體中產生晶格空位(即原子離開晶格位置后所留下的空位),需要的能量要高得多 。
3、半導體中的這些損傷也就是造成器件和IC的輻照效應的根本原因 。
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