晶閘管雙向可控硅原理與好壞判斷 _知識百科

雙向可控硅原理
“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且僅需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。
先看下圖的工作原理：

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如果想簡單一點只要記住一句話即可，只要在G端有信號，那么T1-T2這條路就是通的，只有G在零點的時候才不會導通，主要來看一下應用吧。
來看一個電路圖，其實雙向可控硅多數用在交流電路中。

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簡單介紹一下， Q5是三極管， U2是個光耦， BT1就是雙向可控硅， R144是一個壓敏電阻，正常工作時候相當于斷路，超過470V才起作用， CN5接負載，也就是說我只要給AirPumpSwitch一個信號，可控硅就是導通的了，不管是在交流電正負部分。

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雙向可控硅特點及應用
雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2 ，一個門極G ，門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。
·耐壓級別的選擇：通常把VDRM（斷態重復峰值電壓）和VRRM（反向重復峰值電壓）中較小的值標作該器件的額定電壓。選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。
·電流的確定：由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM 。
·通態（峰值）電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。
·維持電流：IH是維持可控硅保持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。
·電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。
雙向可控硅好壞判斷
方法一：
測量極間電阻法。將萬用表置于皮Rx1k檔，如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞ ，而萬用表置于Rx10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用;反之，若測得T2-T1 ，、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零，而T1-G之間的正反向電阻很小或接近于零時，就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;如果測得T1-G之間的正反向電阻很大（接近∞）時，說明控制極G與主電極T1之間內部接觸不良或開路損壞，也不能使用。
方法二：
檢查觸發導通能力。萬用表置于Rx10檔：①如圖， 1（a）所示，用黑表筆接主電極T2 ，紅表筆接T1 ，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果表頭指針發生了較大偏轉并停留在一固定位置，說明雙向可控硅中的一部分（其中一個單向可控硅）是好的，如圖1（b）所示，改黑表筆接主電極T1 ，紅表筆接T2 ，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向（在不同極性的觸發電壓證）均能觸發導通。

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方法三：
檢查觸發導通能力。如圖2所示，取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于Rx10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發信號，然后再將萬用表置于Rx10檔，照圖2（b）連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。

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【晶閘管雙向可控硅原理與好壞判斷】 應用此法判斷雙向可控硅的觸發導通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發信號增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發能力。

晶閘管 雙向可控硅原理與好壞判斷

晶閘管雙向可控硅原理與好壞判斷