晶閘管可控硅怎么測量好壞，光耦可控硅怎么測量好壞 _經驗分享

如何測量可控硅好壞單向可控硅用萬用表測量好壞用電阻x1k檔，正、反向測量A、K之間的電阻值，均接近無窮大；用電阻x10Ω檔測量G、K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。
正、反向電阻值相等或差異極小。
說明可控硅的G、K 。

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可控硅怎么測量好壞可根據判斷可控硅控制極（G）與陰極（K或A2）性能的來判斷。
根據被檢測晶閘管的功率大小，將萬用表置于合適的電阻檔，小功率的選擇×10；大功率選擇×100 。
短接兩表筆較表，較對萬用表指針在“0”的位置。
控制極（G）與。
可控硅怎么測量其好壞?1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。
若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可。

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如何測量可控硅的好壞?【晶閘管可控硅怎么測量好壞，光耦可控硅怎么測量好壞】可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。
然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明。