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1、首先去除硅片表面的有機污染物,因為有機物會覆蓋硅片表面的一部分,導致氧化膜和相關污染物難以去除;
2、然后溶解氧化膜,因為氧化層是“污染陷阱”,也會引入外延缺陷;最后,顆粒、金屬和其他污染物被去除,硅晶片的表面被鈍化 。
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