IC工藝
    1. 硅集成電路制造工藝主要由哪幾個(gè)工序組成？
    1) 圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類(lèi)似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上； 2) 摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要 ， 將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上 ， 形成晶體管、接觸等； 3) 制膜：制作各種材料的薄膜 。
    2. 制版的目的是什么？圖形發(fā)生器（PG-pattern generator）是做什么用的設(shè)備？
    制版是通過(guò)圖形發(fā)生器完成圖形的縮小和重復(fù) 。 在設(shè)計(jì)完成集成電路的版圖以后 ， 設(shè)計(jì)者得到的是一組標(biāo)準(zhǔn)的制版數(shù)據(jù) ， 將這組數(shù)據(jù)傳送給圖形發(fā)生器(一種制版設(shè)備) ， 圖形發(fā)生器（PG-pattern generator）根據(jù)數(shù)據(jù) ， 將設(shè)計(jì)的版圖結(jié)果分層的轉(zhuǎn)移到掩模版上(掩模版為涂有感光材料的優(yōu)質(zhì)玻璃板) ， 這個(gè)過(guò)程叫初縮 。
    3. 圖形轉(zhuǎn)換工序由哪些步驟組成？
    光刻與刻蝕工藝 。
    4. 為什么說(shuō)光刻（含刻蝕）是加工集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝技術(shù)？光刻工藝包括哪些步驟？
    光刻是加工集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝技術(shù) ， 通常 ， 光刻次數(shù)越多 ， 就意味著工藝越復(fù)雜 。 另—方面 ， 光刻所能加工的線(xiàn)條越細(xì) ， 意味著工藝線(xiàn)水平越高 。 光刻工藝是完成在整個(gè)硅片上進(jìn)行開(kāi)窗的工作 。 過(guò)程如下：
    1) 打底膜（HMDS粘附促進(jìn)劑 ， 六甲基乙硅烷(HMDS)） ， 2)涂光刻膠 ，  3) 前烘 ，  4)對(duì)版    曝光 ，  5)顯影 ，  6)堅(jiān)膜 ，   7)刻蝕：采用干法刻蝕（Dry Etching） ， 8)去膠：化學(xué)方法及干法去膠 。
    5. 說(shuō)明光刻三要素的含義 。
    光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī) 。
    6. 正性膠(光致分解)和負(fù)性膠(光致聚合)各有什么特點(diǎn)？在VLSI工藝中通常使用那種光刻膠？ AZ-1350 系列是正膠還是負(fù)膠？
    正膠：曝光后可溶 ， 負(fù)膠：曝光后不可溶 。
    正膠的主要優(yōu)點(diǎn)是分辨率高 ， 在VLSI工藝中通常使用正膠 。 AZ-1350 系列是正膠 。
    光刻膠-photoresist; 正膠和負(fù)膠：positive and negative; 掩膜版-photomask; 光刻機(jī)-lithography machine 。
    7.常見(jiàn)的光刻方法有哪幾種？接觸與接近式光學(xué)曝光技術(shù)各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
    1)接觸式光刻：分辨率較高 ， 但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷 。
    2)接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(10～25mm) ， 可以大大減小掩膜版的損傷 ， 分辨率較低 。
    3)投影式曝光Stepper：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法 ， 目前用的最多的曝光方式 。
    8. 說(shuō)明圖形刻蝕技術(shù)的種類(lèi)與作用 。
    濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法 。
    干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過(guò)轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的 。
    9. 摻雜工藝有幾種？為了在N型襯底上獲得P型區(qū) ， 需摻何種雜質(zhì)？為了在P型襯底上獲得N型區(qū) ， 需摻何種雜質(zhì)？熱擴(kuò)散與離子注入工藝各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？