摻雜工藝分為熱擴散法摻雜和離子注入法摻雜 。 為了在N型襯底上獲得P型區(qū) ， 需摻Ⅲ價元素硼雜質(zhì) 。 為了在P型襯底上獲得N型區(qū) ， 需摻Ⅴ價元素磷、砷雜質(zhì) 。 所謂熱擴散摻雜就是利用原子在高溫下的擴散運動 ， 使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴散并形成一定的分布 。 工藝相對簡單 ， 但摻雜濃度控制精確度差、位置準確度也差 。 離子注入是將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導體襯底中的摻雜技術 ， 摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定 ， 摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定 。
    離子注入技術以其摻雜濃度控制精確、位置準確等優(yōu)點 ， 正在取代熱擴散摻雜技術 ， 成為VLSI工藝流程中摻雜的主要技術 。 但需昂貴的設備和退火工藝 。 由于高能粒子的撞擊 ， 導致硅結構的晶格發(fā)生損傷 。 為恢復晶格損傷 ， 在離子注入后要進行退火處理 ， 根據(jù)注入的雜質(zhì)數(shù)量不同 ， 退火溫度在450℃~950℃之間 ， 摻雜濃度大則退火溫度高 ， 反之則低 。 在退火的同時 ， 摻入的雜質(zhì)同時向硅體內(nèi)進行再分布 ， 如果需要 ， 還要進行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結深和分布 。
    10. 通常用什么方法制作SiO2薄膜？
    熱氧化法：干氧氧化 ， 水蒸汽氧化 ， 濕氧氧化 ， 干氧－濕氧－干氧(簡稱干濕干)氧化法；氫氧合成氧化；化學氣相淀積法；熱分解淀積法；
    濺射法
    11. 分別說明物理氣相沉積和化學氣相沉積在IC工藝中的兩個應用實例 。
    CVD(CVD-Chimical Vapor Depositiom)是通過氣態(tài)物質(zhì)的化學反應在襯底上淀積一層薄膜材料的過程 ， 具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設備簡單等一系列優(yōu)點 。 較為常見的CVD薄膜包括有：  二氧化硅（通常直接稱為氧化層） ，  氮化硅  ，  多晶硅 ，  難熔金屬與這類金屬之其硅化物 。
    PVD(PVD-Physical Vapor Deposition)主要是一種物理制程而非化學制程 。 此技術一般使用氬等鈍氣體 ， 在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后 ， 可將靶材原子一個個濺擊出來 ， 并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面 。
    12. 何謂場區(qū)和有源區(qū)？
    一種很厚的氧化層 ， 位于芯片上不做晶體管、電極接觸的區(qū)域 ， 稱為場區(qū) 。 有源區(qū)是制作晶體管的區(qū)域 。
    13. IC的后工序包括哪些步驟？
    后工序包括：劃片、粘片、壓焊引線、封裝、成品測試、老化篩選、打印包裝 。
    14. 說明下列英文單詞或縮寫的含義:
    PG圖形發(fā)生器（pattern generator） ， Stepper投影式曝光 ， UV紫外光(Ultraviolet) ，  DUV深紫外光(Deep) ，  EUV極紫外光(Extra) ，  CVD化學氣相沉積 ， PVD物理氣相沉積 ， APCVD常壓化學氣相淀積(Atmosphere Pressure) ， LPCVD低壓化學氣相淀積(Low) ， PECVD等離子增強化學氣相淀積(Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition) ，  DIP雙列直插式封裝(dual-in-line package) ， PGA插針網(wǎng)格陣列封裝(Pin Grid Array Package) ， BGA球柵陣列封裝(Ball Grid Array) ， SOP小外型封裝(small out-line) ， SOJ  J型引線小外型封裝(Small Out-Line J-Leaded Package) ， QFP四邊出腳扁平封裝(quad flat package) ， PLCC塑料J型有引線片式載體封裝(plastic leaded chip carrier) ， SMT表面安裝式封裝(Surface Mounted Technology) 。