1. 首頁 > 生活 > >

LED芯片常遇到的6大問題都在這

知識百科

正向電壓降低、暗光
（1）一種是電極與發光材料為歐姆接觸， 但接觸電阻大， 主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致 。
（2）一種是電極與材料為非歐姆接觸， 主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印， 分布位置 。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低， 主要原因有銀膠固化不充分， 支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定 。
正向壓降低的芯片在固定電壓測試時， 通過芯片的電流小， 從而表現暗點， 還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低， 正向壓降正常 。
難壓焊
（1）打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠
（2）有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢， 其中以加厚層脫落為主 。
（3）打穿電極：通常與芯片材料有關， 材料脆且強度不高的材料易打穿電極， 一般GAALAS材料（如高紅， 紅外芯片）較GAP材料易打穿電極 。
（4）壓焊調試應從焊接溫度， 超聲波功率， 超聲時間， 壓力， 金球大小， 支架定位等進行調整 。
發光顏色差異
（1）同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題， ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄， 生長是很難保證各區域組分一致 。 （組分決定禁帶寬度， 禁帶寬度決定波長） 。
（2）GAP黃綠芯片， 發光波長不會有很大偏差， 但是由于人眼對這個波段顏色敏感， 很容易查出偏黃， 偏綠 。 由于波長是外延片材料決定的， 區域越小， 出現顏色偏差概念越小， 故在M／T作業中有鄰近選取法 。
（3）GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃色， 這是由于其發光機理為間接躍進 。 受雜質濃度影響， 電流密度加大時， 易產生雜質能級偏移和發光飽和， 發光是開始變為橙黃色 。
閘流體效應
（1）是發光二極管在正常電壓下無法導通， 當電壓加高到一定程度， 電流產生突變 。
（2）產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層， 有此現象的LED在IF＝20MA時測試的正向壓降有隱藏性， 在使用過程是出于兩極電壓不夠大， 表現為不亮， 可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線， 也可以通過小電流IF＝10UA下的正向壓降來發現， 小電流下的正向壓降明顯偏大， 則可能是該問題所致 。
反向漏電流IR
在限定條件下反向漏電流為二極管的基本特性， 按LED以前的常規規定， 指反向電壓在5V時的反向漏電流 。 隨著發光二極管性能的提高， 反向漏電流會越來越小 。 IR越小越好， 產生原因為電子的不規則移動 。
（1）芯片本身品質問題原因， 可能晶片本身切割異常所導致 。
（2）銀膠點的太多， 嚴重時會導致短路 。 外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致， 芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面， 嚴禁用有機溶液調配銀膠 。 以防止銀膠通過毛細現象爬到結區 。
（3）靜電擊傷 。 外延材料， 芯片制作， 器件封裝， 測試一般5V下反向漏電流為10UA， 也可以固定反向電流下測試反向電壓 。 不同類型的LED反向特性相差大：普綠， 普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏， 而普紅芯片則在十幾二十伏之間 。
（4）焊線壓力控制不當， 造成晶片內崩導致IR升高 。
解決方案：
（1）銀膠膠量需控制在晶片高度的1／3～1／2；
（2）人體及機臺靜電量需控制在50V以下；
（3）焊線第一點的壓力應控制在30～45g之間為佳 。
死燈現象
（1）LED的漏電流過大造成PN結失效， 使LED燈點不亮， 這種情況一般不會影響其他的LED燈的工作 。
（2）LED燈的內部連接引線斷開， 造成LED無電流通過而產生死燈， 這種情況會影響其他的LED燈的正常工作， 原因是由于LED燈工作電壓低（紅黃橙LED工作電壓1．8v－2．2v， 藍綠白LED工作電壓2．8－3．2v）， 一般都要用串、并聯來聯接， 來適應不同的工作電壓， 串聯的LED燈越多影響越大， 只要其中有一個LED燈內部連線開路， 將造成該串聯電路的整串LED燈不亮， 可見這種情況比第一種情況要嚴重的多 。