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晶閘管 可控硅的電流電壓變化

知識百科

1、柵極上的噪聲電平
 
在有電噪聲的環境中 ， 如果柵極上的噪聲電壓超過VGT ， 并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋 ， 則也會被觸發導通 。
 
應用安裝時 ， 首先要使柵極外的連線盡可能短 。 當連線不能很短時 ， 可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入 。 在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度 ， 也可以再并聯一個100nf的電容 ， 來濾掉高頻噪聲 。
 
2、關于轉換電壓變化率
 
當驅動一個大的電感性負載時 ， 在負載電壓和電流間有一個很大的相移 。 當負載電流過零時 ， 雙向可控硅(晶閘管)開始換向 ， 但由于相移的關系 ， 電壓將不會是零 。 所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓 。 如果這時換向電壓的變化超過允許值時 ， 就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉 ， 而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態 。
 
為了克服上述問題 ， 可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化 ， 以防止誤觸發 。 一般 ， 電阻取100R ， 電容取100nF 。 值得注意的是此電阻不能省掉 。
 
3、關于轉換電流變化率
 
當負載電流增大 ， 電源頻率的增高或電源為非正弦波時 ， 會使轉換電流變化率變高 ， 這種情況最易在感性負載的情況下發生 ， 很容易導致器件的損壞 。 此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感 。
 
【晶閘管 可控硅的電流電壓變化】4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT
 
在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時 ， 內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通 。 這在高溫下尤為嚴重 ， 在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT ， 或可采用高速可控硅(晶閘管) 。
 
5、關于連續峰值開路電壓VDRM
 
在電源不正常的情況下 ， 可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值 ， 此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通 。 如果負載能允許很大的浪涌電流 ， 那么硅片上局部的電流密度就很高 ， 使這一小部分先導通 。 導致芯片燒毀或損壞 。 另外白熾燈 ， 容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流 ， 這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 。