特性
常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路 , 等等 。 可控硅的主要參數
可控硅的主要參數有:
1、 額定通態平均電流IT在一定條件下 , 陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值 。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號 , 陽極正向電壓還未超過導能電壓時 , 可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓 。 可控硅承受的正向電壓峰值 , 不能超過手冊給出的這個參數值 。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓 , 處于反向關斷狀態時 , 可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓 。 使用時 , 不能超過手冊給出的這個參數值 。
4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下 , 陽極---陰極間加有一定電壓時 , 可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓 。
5、 維持電流IH在規定溫度下 , 控制極斷路 , 維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流 。 許多新型可控硅元件相繼問世 , 如適于高頻應用的快速可控硅 , 可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅 , 可以用正觸發信號使其導通 , 用負觸發信號使其關斷的可控硅等等 。
分類
可控硅有多種分類方法 。
(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種 。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅 。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型 。 其中 , 金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種 。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種 。 通常 , 大功率可控硅多采用金屬殼封裝 , 而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝 。
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅 。
(六)過零觸發-一般是調功 , 即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發 , 必須是過零點才觸發 , 導通可控硅 。
(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅 , 常見的是移相觸發 , 即通過改變正弦交流電的導通角(角相位) , 來改變輸出百分比 。
【晶閘管 可控硅的特性與分類】
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