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可控硅開關的損耗分析

知識百科

【可控硅開關的損耗分析】可控硅開關由電子元器件構成,只要接入系統帶電后不可避免地要帶來有功損耗， 這也是與傳統機械開關相比的一個缺點 。 因此可控硅開關主電路的設計上除充分考慮可靠性因素， 同時也應考慮如何減低損耗， 提高運行的經濟性 。
（1）可控硅開關的穩態關斷下的損耗:主要是由流過靜態均壓電阻、動態均壓電阻的電流帶來的， 近似計算公式如下:

可控硅開關的損耗分析

文章插圖
 
其中:V為開關閥的額定電壓， 單位為V;
Rd為動態均壓電阻值， 單位為歐;
Rp為靜態均壓電阻值， 單位為歐;
Cd為動態均壓容值， 單位為F;
V為元件額定耐壓值， 單位為V;
1000為元件額定耐壓值下的漏電流， 單位為A;
n為可控硅串聯數;
△P1的單位為千瓦 。
(2)可控硅開關的穩態導通下的損耗:主要是由可控硅元件導通電阻帶來的， 近似計算公式如下:
可控硅開關的損耗分析

文章插圖
 
其中:Von為可控硅導通壓降電壓， 單位為V;
n為可控硅串聯數;
Ⅰn為額定工作電流， 單位為A;
△P2的單位為千瓦 。
可控硅開關的導通和關斷的動態損耗主要是由動態均壓電容的充放電在動態均壓電阻上形成的功耗， 計算比較復雜， 通常只有在可控硅開關頻繁動作的情況下予以考慮 。