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單向可控硅的主要參數

知識百科

為了正確地使用單向可控硅， 不僅要了解它的工作原理， 還需要掌握它的主要參數 。
(1）正向重復峰值電壓Ufrm
在控制極斷開和單向可控硅處于正向阻斷的條件下,單向可控硅的結溫為額定值時， 允許美妙50次， 每次持續時間不大于10 ms可重復加在單向可控硅上的正向峰值電壓， 稱為正向重復峰值電壓， 用Ufrm表示， 一般規定次電壓值為正向轉折電壓的80% 。
(2)反向重復峰值電壓Urrm
在與正向重復峰值電壓相同的條件下,可以重復加在單向可控硅上的反向峰值電壓稱為反向重復峰值電壓， 用Urrm表示， 一般為反向轉折電壓的80% 。
(3）額定電壓U,
通常把Ufrm與Urrm中較小的一個電壓值作為單向可控硅的額定電壓 。 這是考慮到實際中加在管子上的電影一般是正、負對稱電壓,故以數值小的電壓為準 。 但由于瞬時過電壓也會損壞管子， 故選擇管子時， 為了安全起見， 要求管子的額定電壓大于實際工作峰值電壓的2～3倍 。
(4）額定正向平均電流Ⅰ ,
在環境溫度為40℃和規定的散熱條件下， 允許通過單向可控硅中的工頻正弦半波電流的平均值， 稱為額定正向平均電流I , 。 通常所說的多少安的單向可控硅就是指這個電流值 。 I ,大小與周圍環境溫度， 散熱條件， 元件導通角的大小等因素有關 。 單向可控硅的額定電流用一定條件下的工頻正弦半波平均電流來標定， 這是由于整流輸出端所接負載常需要用平均電流衡量其性能 。 但是從單向可控硅發熱的角度來看， 無論流過單向可控硅中的電流波形如何， 單向可控硅的導通角是多大只要設計的電流有效值等于額定電流I ,的有效值， 那么單向可控硅的發熱便是等效的和允許的 。
(5）維持電流Ⅰ h
在室溫和控制極短路的條件下,能夠維持單向可控硅繼續導通所需的最小陽極電流稱為維持電流Ⅰ h 。 如果單向可控硅的陽極電流小于此值時， 單向可控硅將由導通狀態轉為阻斷狀態 。
(6)控制極觸發電壓Ugk和觸發電流Ⅰg
在室溫， 單向可控硅陽極與陰極間電壓為6V的條件下， 使單向可控硅從阻斷狀態轉為導通狀態所需的最小控制極直流電流值稱為觸發電流Ⅰg， 對應于觸發電流I 。 時的控制極與陰極之間的直流電壓Ugk稱為觸發電壓 。 一般Ugk約為1～5V， Ig為幾十到幾百mA 。
【單向可控硅的主要參數】