【mos管工作原理】mos管是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的 。
MOS管，是MOSFET的縮寫 。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管 。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管 ， 或者稱是金屬—絕緣體(ulator)—半導體 。G：gate柵極；S：source源極；D：drain漏極 。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的 ， 他們都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認為是對稱的 。場效應管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場效應管 。

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