可控硅整流原理

可控硅整流的原理如下:
可控硅整流的晶閘管T在工作過程中,陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路 。
可控硅整流是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成,它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等 。
【可控硅整流原理】可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點 。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件 。