在金屬氧化物或者其他含氧化合物中，晶格中的氧原子（氧離子）脫離，導致氧缺失，形成的空位，簡單來說，就是指氧離子從它的晶格中逸出而留下的缺陷 ， 氧空位是半導體材料尤其是金屬氧化物半導體中最常見的一種缺陷，對半導體材料的性能有著重要影響 。
【氧化物界面如何產生氧空位】按照所處的空間位置不同，氧空位可以分為表面氧空位和體相氧空位，如果按照氧空位對光催化性能影響不同進行更細致的分類，體相氧空位又可以分為次表面氧空位和體相氧空位兩種，如果按照束縛電子數進行分類，可以分為束縛雙電子型氧空位、束縛單電子型氧空位和無束縛電子型氧空位 。
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