ITO跟LED有什么關系？
ITO是一種透明的電極材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性 。 目前ITO膜主要是為了提高LED的出光效率 。
Burstein－Moss效應是什么？
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Burstein－Moss效應：當半導體重摻雜時，費米能級進入導帶，本征光吸收邊向高能方向移動的現象 。
在普通摻雜的半導體中，費米能級位于導帶與價帶之間 。 當n型摻雜濃度上升時，由于電子在導帶中集聚，費米能級會慢慢被推到導帶之中（可以簡單的理解成冰塊（費米能級）被增加的水（電子）推到高位） 。
什么是前軀體（precursor）？
前軀體指的是用來合成、制備其他物質的經過特殊處理的配合材料 。
日前中山大學的研究人員發明了一種采用金屬有機氣相沉積（MOCVD）制備LED結構中氧化銦錫膜（ITO）的工藝，這種方法可以有效的增強UV LED的透明導電特性 。
通常UV LED按照波長分為UVA UVB UVC三種類型 。 目前主要用于水純凈化、生物滅菌消毒、醫用診療、紫外治療等領域 。
研究過程
盡管ITO 在可視光譜區域里是一種透明導電層材料，但是對于紫外區域，ITO的透明特性就會逐漸降低 。
因此，中山大學團隊設法使用MOCVD技術將光學禁帶的寬度拓寬到4．7eV 。 該禁帶所激發出的光子波長正好在紫外區域內（364nm） 。
通常UV LED按照波長分為UVA UVB UVC三種類型 。 目前主要用于水純凈化、生物滅菌消毒、醫用診療、紫外治療等領域 。
圖1 90nm MOCVD工藝ITO膜的光電特性
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（a）錫流速（Sn flow rate）對于電子密度和遷移率的影響
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（b）MOCVD工藝ITO膜中的UV可見光透過率與不同的錫流速 。
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（c）不同工藝下的ITO光學禁帶對比
中山大學團隊首先在藍寶石表面使用MOCVD技術（生長環境溫度為500°C左右）生長90nm ITO膜，前軀體為三甲基銦（trimethyl indium）、四甲基錫（tetrakis－dimethylamino tin）、以及氧氬混合氣體 。 最終所得的材料表面附有類金字塔形狀（100）和三角形形狀（111）的顆粒 。
經過多次研究實驗，研究人員發現前軀體的添加速度控制在每分鐘350立方厘米會達到最高的自由電子密度（2．15x1021／cm3） 。 同時，光學禁帶寬度會達到4．70eV 。 通常氧化銦（In2O3無前軀體）的電子密度僅僅為1．47x1019／cm3，禁帶寬度為3．72eV 。
這種禁帶寬度的不同主要來自Burstein－Moss效應的影響，此時部分自由電子集聚于低位導帶（co