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硼中子俘獲治療聯合放射療法( 二 )



硼中子俘獲治療聯合放射療法
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將與聚碳酸酯箔接觸的硅標準NIST2137中的10B植入物暴露于中子注量下 。 這種能量密度足夠低 ， 可以避免核跡線重疊 ， 從而可能危害單個計數 。 中子輻照后 ， 將箔片暴露于UV-C輻射5分鐘或30分鐘 ， 然后進行化學蝕刻 。 作為參考 ， 將這些箔與無UV-C暴露條件進行了比較 。 最后 ， 獲得了核徑跡的顯微照片 ， 并按《成像與分析》中的詳細說明進行了分析 。
用光學顯微鏡與CCD相機耦合獲得顯微照片 。 設置光照條件以獲得最佳質量和可再現的圖像 。
為了量化放射自顯影圖像的JING跡密度 ， 必須識別并計數核徑跡 。 使用軟件ImageProPremier?進行了圖像分析過程9.2 。 首先將基于閾值的圖像分割應用于每個灰度圖像 。 然后 ， 基于手動選擇的參考對象的學習分類方法被應用 ， 以區分核徑跡坑與在分割過程中獲得的其他對象 。 先前已經研究了與區分核徑跡有關的多個參數 ， 包括面積 ， 圓形度和縱橫比 ， 用于訓練算法 。 進行了培訓 ， 以測量用戶手動選擇的幾個對象中的這些參數 。 通過將結果與手動計數進行比較來驗證此過程 。

硼中子俘獲治療聯合放射療法
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為了保證細胞在聚碳酸酯上的附著力 ， 硼中子俘獲治療研究機構首先測試了不同的預處理條件 。 選擇PBS條件進行預處理 ， 因為與對照樣品相比,它對細胞附著和生長或形態的影響可忽略不計 。 其他策略導致明顯的細胞死亡或異質生長 。 該固定方案實現了良好的細胞結構維護和質量 。
建立細胞附著和固定方案后 ， 使用蘇木精染色進行細胞印跡形成實驗 。 觀察到使用蘇木精染色改變蝕刻和UV-C曝光時間的效果 。 第一列顯示在暴露于UV-C之前用蘇木精染色5分鐘的細胞培養物 。 其他兩列顯示在不同蝕刻時間分別為2分鐘和4分鐘的第一列中描繪的同一區域的細胞印跡 。 連同蝕刻時間變化 ， 與UV-C曝光時間相對應的圖片顯示在不同的行中：15、30、60和120分鐘 。
在UV-C照射之前使用蘇木精可以使細胞核與其他細胞區分開來 。 印記會在原始染色的細胞圖像中復制發現 。 將蝕刻時間從2分鐘增加到4分鐘會導致對比度增強 ， 并在Lexan箔片上記錄“更清潔”的圖像 。 眾所周知 ， 較長的蝕刻時間會產生較大的核徑跡 ， 從而使核徑跡與細胞痕跡更好地區分開 。 關于UV-C照射 ， 隨著曝光時間增加 ， 特別是30分鐘或更長時間 ， 可以觀察到更加惡化的細胞印跡 。 這可能會損害突出細胞結構的能力 。 此外 ， 減少曝光時間對于軌道可視化至關重要 。
考慮到先前的結果 ， 然后通過將染色時間增加到15分鐘來研究2、5和15分鐘的照射時間 。 作為對照樣品 ， 將一組Lexan箔片暴露于UV-C輻射 ， 而無需蘇木精染色 。 正如硼中子俘獲治療研究機構先前的工作所確定的那樣 ， 細胞結構以不同的水平吸收UV-C輻射 ， 從而在蝕刻的檢測器表面產生浮雕 。 第一列中值得注意的是 ， 細胞印跡是由每個細胞結構的UV-C吸收形成的 。 此外 ， 通過將染色時間設置為15分鐘 ， 可以注意到印記中的細胞結構在所有曝光時間內均具有更大的對比度 。 對于建議的分析 ， 在5分鐘和15分鐘內獲得的結果在細胞SHI鑒定方面沒有顯著差異 。 期望通過減少曝光時間來減少軌道褪色 ， 硼中子俘獲治療研究機構放棄了15分鐘的UV-C 。 另一方面 ， 盡管在2分鐘的曝光下產生的細胞印跡可以接受 ， 但在5分鐘的曝光時間下 ， 細胞印跡的圖像對比度似乎對于清晰識別結構而言是最佳的 。